G-Line Photoresist (365 nm)

Résist photo G-Line (365 nm) est un résist de haute précision conçu pour l'industrie des semi-conducteurs. Il est spécifiquement adapté à la fabrication des circuits intégrés (CI), où il joue un rôle crucial dans le processus de photolithographie. Ce produit offre une excellente adhésion, une résolution élevée et une sensibilité aux rayons ultraviolets de 365 nm, ce qui en fait un excellent choix pour créer des motifs fins sur des plaquettes de silicium. Ses propriétés de agent de durcissement et d'absorbeur de UV assurent des performances fiables sous diverses conditions de traitement.