Résine photosensible ArF pour immersion (193 nm)

Résist photo (193 nm) au fluorure de krypton (ArF) est un composé chimique à haute précision utilisé dans le processus de photolithographie de la fabrication des semi-conducteurs. Il est spécifiquement conçu pour être utilisé avec des lasers ArF (fluorure d'argon) à une longueur d'onde de 193 nm, permettant la production de motifs extrêmement fins sur les plaquettes de silicium. Ce résist photo est essentiel pour obtenir des tailles de caractéristiques plus petites et une résolution plus élevée dans l'industrie électronique et des semi-conducteurs. Ses propriétés clés comprennent une excellente sensibilité, une résolution élevée et une résistance à l'attaque chimique, ce qui en fait un matériau idéal pour les nœuds avancés de fabrication de puces.