Produits Chimiques pour l'Électronique et les Semi-conducteurs
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Acide sulfurique de qualité électronique (98 %, G5)
Acide nitrique de qualité électronique (68%, G4/G5)
Acide chlorhydrique de qualité électronique (31%)
Acide phosphorique de qualité électronique (85%)
Acide fluorhydrique de qualité électronique (HF, 49%)
Acide acétique de grade électronique (99,9 %+)
Alcool isopropylique de qualité électronique (IPA, 99,99 %)
Acétone de qualité électronique (99.99%+)
N-Méthyl-2-pyrrolidone de qualité électronique (NMP)
Méthanol de qualité électronique
Éthanol de qualité électronique
Eau ultra-pure (UPW)
G-Line Photoresist (365 nm)
I-Line Photoresist (365 nm)
KrF Photoresist (248 nm)
ArF Photoresist (193 nm, dry)
Résine photosensible ArF pour immersion (193 nm)
Résine photosensible EUV (13,5 nm)
Positive Tone Photoresist
Résine photosensible à ton négatif
Revêtement anti-reflet de fond (BARC)
Top Coat (Immersion Lithographie)
Générateur d'acide photo (PAG)
Développeur à base de TMAH (2,38 %)
Gravure d'oxyde tamponnée (BOE, HF/NH₄F)
SC1 Clean (NH₄OH + H₂O₂ + H₂O)
SC2 Clean (HCl + H₂O₂ + H₂O)
RCA Nettoyage standard
Nettoyants pour barrière de cuivre
Fluides de nettoyage post-CMP
Nettoyants par pulvérisation pour plaquettes individuelles
Gaz de gravure sèche (CF₄, C₄F₈, SF₆, NF₃)
Gaz de dépôt (SiH₄, TEOS, WF₆)
Hexafluorure de tungstène (WF₆)
Silane (SiH₄)
TEOS (Tétraéthyl orthosilicate)
Tétrachlorure de titane (TiCl₄)
Pentachlorure de tantale (TaCl₅)
Hydroxyde d'ammonium (28–30 %, qualité électronique)
Peroxyde d'hydrogène (30 %, qualité électronique)
Tranches de silicium (polies)
Arséniure de gallium (GaAs) Substrats
Azote (N₂, haute pureté)
Argon (Ar, haute pureté)
Oxygène (O₂, haute pureté)
Hydrogène (H₂, haute pureté)
Hélium (He, haute pureté)
Chlore (Cl₂, haute pureté)
Trichlorure de bore (BCl₃)
Phosphine (PH₃)
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