Resistente fotolitográfico ArF para inmersión (193 nm)

Resistencia fotográfica de inmersión de ArF (193 nm) es un químico de alta precisión utilizado en el proceso de fotolitografía de la fabricación de semiconductores. Está específicamente diseñado para su uso con láseres de ArF (Fluoruro de Argón) a una longitud de onda de 193 nm, permitiendo la producción de patrones extremadamente finos en obleas de silicio. Esta resistencia fotográfica es crucial para lograr tamaños de características más pequeños y mayor resolución en la industria electrónica y de semiconductores. Sus propiedades clave incluyen excelente sensibilidad, resolución y resistencia a la grabación, lo que la hace ideal para nodos avanzados en la fabricación de chips.