Resistente fotosensible EUV (13.5 nm)
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Resumen
EUV Photoresist (13.5 nm) for advanced semiconductor manufacturing.
Número CAS
N/A
Fórmula Molecular
N/A
Grado del Producto
SEMI
Apariencia
liquid
Formas de entrega
Canister Drum
Descripción del Producto
Resistencia fotográfica de EUV (13,5 nm) es un material de alta precisión diseñado para la litografía de ultravioleta extremo en la fabricación de semiconductores. Permite la creación de patrones de circuitos más finos y complejos en waferes de silicio. Este producto es crucial para I+D y producción en gran volumen (HVM) en la industria electrónica y de semiconductores, ofreciendo excelente resolución, sensibilidad y resistencia a la grabación.
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