EUV-Photoresist (13,5 nm)

EUV-Lichtempfindlichmaterial (13,5 nm) ist ein hochpräzises Material, das für die extrem ultraviolette Lithografie in der Halbleiterfertigung entwickelt wurde. Es ermöglicht die Erstellung feinerer und komplexerer Schaltungsmuster auf Siliziumwafern. Dieses Produkt ist entscheidend für Forschung und Entwicklung sowie für die Hochvolumenproduktion (HVM) in der Elektronik- und Halbleiterindustrie und bietet hervorragende Auflösung, Empfindlichkeit und Ätzwiderstandsfähigkeit.