G-Line Photoresist (365 nm)

Resistencia fotográfica G-Line (365 nm) es un resistente de alta precisión diseñado para su uso en la industria semiconductor. Está especialmente adaptado para la fabricación de circuitos integrados (CI), donde desempeña un papel crucial en el proceso de fotolitografía. Este producto ofrece excelente adhesión, resolución y sensibilidad a la luz de 365 nm, lo que lo hace ideal para crear patrones finos en obleas de silicio. Sus propiedades como agente de curado y absorbente de UV aseguran un rendimiento confiable bajo diversas condiciones de procesamiento.