Gaz de dépôt (SiH₄, TEOS, WF₆)
Produit Dangereux
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Aperçu
Deposition Gases (SiH₄, TEOS, WF₆) for semiconductor thin film applications.
Numéro CAS
7803-62-5, 78-10-4, 7783-82-6
Formule Moléculaire
SiH₄, C₈H₂₀O₄Si, WF₆
Grade du Produit
Electronic Grade
Classe de Danger
CLASS 2
Gases
Apparence
gas
Formes de livraison
Canister
Description du Produit
Gaz de déposition (SiH₄, TEOS, WF₆) sont essentiels dans les procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) et de dépôt par couches atomiques (ALD). Ces gaz sont utilisés pour former des revêtements minces de haute qualité dans l'industrie électronique et des semi-conducteurs. Ils jouent un rôle critique dans la création de couches diélectriques, de matériaux à base de silicium et de films de tungstène, contribuant ainsi aux performances et à la fiabilité des dispositifs électroniques.
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