Gases de deposición (SiH₄, TEOS, WF₆) (SiH₄, C₈H₂₀O₄Si, WF₆)...

Gases de deposición (SiH₄, TEOS, WF₆)

Gases de deposición (SiH₄, TEOS, WF₆) - CAS 7803-62-5, 78-10-4, 7783-82-6 - Chemical Product
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Resumen

Deposition Gases (SiH₄, TEOS, WF₆) for semiconductor thin film applications.

Número CAS

7803-62-5, 78-10-4, 7783-82-6

Fórmula Molecular

SiH₄, C₈H₂₀O₄Si, WF₆

Grado del Producto

Electronic Grade

Clase de Peligro

CLASS 2

Gases

Apariencia

gas

Formas de entrega

Canister

Descripción del Producto

Gases de deposición (SiH₄, TEOS, WF₆) son esenciales en los procesos de deposición por vapor químico (CVD) y deposición de capas atómicas (ALD). Estos gases se utilizan para formar películas delgadas de alta calidad en la industria electrónica y de semiconductores. Juegan un papel crítico en la creación de capas dieléctricas, materiales basados en silicio y películas de tungsteno, contribuyendo al rendimiento y fiabilidad de los dispositivos electrónicos.