Газы осаждения (SiH₄, TEOS, WF₆)
Опасный продукт
Contact for Price
Конкурентные цены • Быстрая доставка
Обзор
Газы для осаждения (SiH₄, TEOS, WF₆) для полупроводниковых тонких пленок.
Номер CAS
7803-62-5, 78-10-4, 7783-82-6
Молекулярная формула
SiH₄, C₈H₂₀O₄Si, WF₆
Класс продукта
Electronic Grade
Класс опасности
CLASS 2
Gases
Внешний вид
gas
Формы упаковки
Canister
Описание продукта
Газы для осаждения (SiH₄, TEOS, WF₆) являются важными в процессах химического осаждения из газовой фазы (CVD) и атомно-слойного осаждения (ALD). Эти газы используются для образования высококачественных тонких пленок в электронной и полупроводниковой промышленности. Они играют ключевую роль в создании диэлектрических слоев, материалов на основе кремния и пленок вольфрама, способствуя производительности и надежности электронных устройств.
Сопутствующие продукты
Больше продуктов из CVD/ALD Gases в Electronic & Semiconductor Chemicals