Sources pour l'épitaxie par faisceau moléculaire (MBE)

Les sources de Dépôt par Faisceau Moléculaire (MBE) sont des matériaux de très haute pureté utilisés dans le dépôt contrôlé de couches minces pour les dispositifs semi-conducteurs. Ces sources jouent un rôle critique dans la fabrication de composants électroniques et optoélectroniques avancés. Les applications clés comprennent le développement de cellules solaires à haute efficacité, d'LEDs et de diodes laser. Le MBE est particulièrement apprécié dans les environnements de R&D pour sa capacité à créer des couches épitaxiales ultra-précises et de haute qualité. Les propriétés notables incluent une excellente stabilité thermique et une pureté élevée, essentielles pour obtenir les performances souhaitées des dispositifs.