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Molekularstrahl-Epitaxie (MBE)-Quellen

Molekularstrahl-Epitaxie (MBE)-Quellen - CAS N/A - Chemical Product
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Übersicht

Molecular Beam Epitaxy (MBE) Sources for precise semiconductor layer deposition.

CAS-Nummer

N/A

Molekularformel

N/A

Produktgrad

SEMI

Erscheinungsbild

solid

Lieferformen

Canister

Produktbeschreibung

Molekularstrahl-Epitaxie (MBE)-Quellen sind hochreine Materialien, die bei der kontrollierten Abscheidung von dünnen Schichten für Halbleiterbauelemente verwendet werden. Diese Quellen spielen eine entscheidende Rolle bei der Herstellung fortschrittlicher elektronischer und optoelektronischer Komponenten. Wichtige Anwendungen umfassen die Entwicklung von hochwirksamen Solarmodulen, LEDs und Laserdioden. MBE wird insbesondere in Forschungs- und Entwicklungsabteilungen geschätzt, da es die Erzeugung ultra-präziser, hochwertiger epitaktischer Schichten ermöglicht. Merkmale sind hervorragende thermische Stabilität und Reinheit, die für die Erzielung der gewünschten Geräteleistung unerlässlich sind.