G-Line Фоторезист (365 нм)

G-Line Photoresist (365 нм) - высокоточный фотохимический состав, предназначенный для использования в полупроводниковой промышленности. Он специально разработан для производства интегральных схем (ИС), где он играет важную роль в процессе фотолитографии. Этот продукт обладает отличной адгезией, разрешением и чувствительностью к свету длиной волны 365 нм, что делает его идеальным для создания тонких шаблонов на кремниевых пластинах. Его свойства как отвердителя и поглотителя УФ-излучения обеспечивают надежную работу в различных условиях обработки.