Grabado buffered de óxido (BOE, HF/NH₄F)
Producto Peligroso
Contact for Price
Precio a Consultar
Resumen
Buffered Oxide Etch (BOE, HF/NH₄F) for precise oxide layer removal.
Número CAS
N/A
Fórmula Molecular
HF/NH₄F
Grado del Producto
SEMI
Clase de Peligro
CLASS 8
Corrosive Substances
Apariencia
liquid
Formas de entrega
Drum IBC Bulk Pail
Descripción del Producto
Disolución de ataque con óxido (BOE, HF/NH₄F) es una solución de grabado selectivo utilizada principalmente en la industria semiconductor. Está diseñada para eliminar capas de dióxido de silicio sin dañar el sustrato de silicio subyacente, lo que la hace ideal para aplicaciones de patrón fino y limpieza. Este producto es crucial en la fabricación electrónica, ofreciendo alta selectividad y tasas uniformes de grabado, lo cual es esencial para mantener la integridad de los dispositivos microelectrónicos.
Productos Relacionados
Más productos de Wet Etchants en Productos Químicos para Electrónica y Semiconductores