Chemikalien für die Atomlagenabscheidung (ALD)
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Übersicht
Hochreine Präkursor-Chemikalien für die Atomlagenabscheidung (ALD), entwickelt für das Wachstum ultradünner, konformer Schichten in der fortschrittlichen Halbleiterfertigung.
Produktbeschreibung
ApeChem liefert ein umfassendes Portfolio an ALD-Chemikalien, darunter Metallalkyle, Alkoxide, Amide, Halogenide sowie Cyclopentadienyl-basierte Präkursoren, die zur Abscheidung von Oxid-, Nitrid- und metallischen Dünnschichten auf atomarer Skala eingesetzt werden. Diese Präkursoren sind so formuliert, dass sie einen hohen Dampfdruck, thermische Stabilität und saubere selbstlimitierende Oberflächenreaktionen bieten und so gleichmäßige, porenfreie Beschichtungen auf komplexen 3D-Architekturen ermöglichen. Typische Anwendungen umfassen High-k-Gate-Dielektrika, DRAM-Kondensatoren, Diffusionsbarrieren sowie Verkapselungsschichten für Logik-, Speicher-, Display-, Photovoltaik- und MEMS-Bauelemente. Zu den Anwendern zählen Halbleiter-Foundries, IDMs, OLED-Displayhersteller sowie fortschrittliche F&E-Institute, die konsistente, kontaminationsarme Materialien für Prozessknoten der nächsten Generation benötigen.